GaAs HBT中测信号防护处理

摘要：

在集成电路前段代工厂制作完成后,为确保出货电性及封装良率,客户会要求出货前对器件进行电性及可靠度测试.由于HBT砷化镓芯片高集成度及高频等因素,在中测时存在振荡与干扰,无法得到真实的电性良率,而且不同于手动探针台每次只测试单一测试项,中测要对晶粒同时进行所有电性测试,进一步造成电性良率失真.针对此问题,对中测探针卡进行改良,通过比较TaN片电阻均匀性与手动探针台测量结果,以及观察电流值的高斯分布,证实中测结果的合理性.结果表明,对探针卡进行电磁屏蔽及电路匹配后,改善前后电性良率有显著提升,能满足快速且准确的检测目的.

关键词：HBT器件、砷化镓、中测、探针卡、干扰、振荡

所属期刊栏目：41

分类号：TN407(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2020-05-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：10-14