X射线和重离子辐射对GaN基发光二极管的影响

摘要：

针对航天军事核物理等应用环境,研究了白光光谱高能X射线和30MeV Si重离子辐射效应对蓝光InGaN/GaN多量子阱发光二极管的阈值电压、发光功率、发光波长及色坐标的影响,得出二极管阈值电压和发光功率随Si粒子注量的变化规律.对比研究结果指出,相比于辐射电离效应,辐射引起的位移效应、热峰效应和载流子移除效应是影响发光二极管特性的主要因素;重离子辐照对发光特性的影响早于电学特性,且辐射主要引起发光二极管色坐标Y分量的变化.

关键词：InGaN/GaN多量子阱、发光二极管、可见光通讯、X射线、重离子、辐射效应、位移损伤

所属期刊栏目：40

分类号：TN312+.8(半导体技术)

在线出版日期：2020-01-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1-5