新型反熔丝存储器内部修复电路设计

摘要：

针对反熔丝电路在存储器修复的设计与实现中存在的问题,介绍一种新的反熔丝存储器自检测自修复电路的设计方法.在存储器电路设计中增加冗余存储单元,对有缺陷的存储单元及地址做出更为合理的处理,以避免舍弃整个芯片.通过将读取编程数据与编程器写入数据进行比较,更有效地实现冗余存储单元地址的替换.使用冗余结构来提高存储器电路的可靠性,实现了在同一芯片内部进行自检测和自修复的功能,增加了电路调节的灵活性,提高了电路的普适性,同时可降低电路的维护及使用成本.

关键词：反熔丝、存储器、冗余、内部修复

所属期刊栏目：40

分类号：TN402;TP333(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2019-11-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：25-28