电阻负载型NMOS反相器输出低电平优化

摘要：

反相器是几乎所有数字集成电路设计的核心,然而在针对反相器设计的大量研究当中,对于电阻负载型NMOS反相器的参数对NMOS反相器在性能上的影响,很少被报道.基于此,利用Silvaco TCAD半导体器件仿真软件全面系统地分析了电阻型负载NMOS反相器器件参数,包括衬底掺杂浓度,栅氧化层厚度,晶体管导电沟道宽长比,电阻RL的阻值等,研究其对反相器输出低电平性能的影响.仿真结果表明,增加衬底掺杂浓度和P+区掺杂浓度可以改变阈值电压,优化电路的输出电平;增大栅氧化层的厚度也可同样实现对电阻型NMOS反相器输出电平的优化.

关键词：阈值电压、栅氧化层厚度、掺杂浓度、导电沟道宽长比、瞬态特性

所属期刊栏目：40

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2019-07-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：26-29