晶圆厂转移过程中CMOS工艺可靠性研究

摘要：

针对半导体行业中常见的集成电路产品在加工期间更换晶圆厂的现象,通过对比原晶圆厂与待转移晶圆厂的加工工艺,对更换前后工艺的差异性进行逐一分析.从衬底材料的电阻率、P管场区阈值的调整方式、P管沟道的调整方式、NSD与PSD的注入顺序、栅氧厚度、ILD原材料、金属布线厚度等方面对晶圆厂转移的成功率进行评估.产品加工完成后,又通过PCM参数及电参数对比分析的方式进行产品参数的差异性确认.分析结果表明,晶圆厂转移后加工的产品参数指标与原工艺线相比略有提升,产品成品率也有所提高,既未影响原用户使用,又降低了加工成本,晶圆厂实现成功转移.

关键词：CMOS制造、晶圆厂转移、工艺可靠性、静态电源电流

所属期刊栏目：40

分类号：TN47(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2019-07-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：10-14