基于工艺的GaN HEMT抗辐射加固研究进展

摘要：

GaN HEMT由于其具有高频、高温、大功率、抗辐射等特性,在卫星、太空探测、核反应堆等辐射环境中具有广阔的应用前景.虽然GaN HEMT较Si基半导体器件具有优越的抗辐射特性,但距GaN材料本身的抗辐射能力和水平仍存在较大差距,GaN HEMT制造工艺是导致这一差距产生的主要原因.通过调研、分析近几年国际报道的GaN HEMT制造工艺对辐射效应的影响,分别从有源区隔离工艺、GaN沟道层厚度、钝化层结构和衬底材料四个方面作出对比,分析可能的原因,给出一种加固工艺优选方法,以期对我国抗辐射加固GaN HEMT研制提供借鉴和指导.

关键词：GaN HEMT技术、抗辐射加固、有源区隔离工艺、沟道层厚度、钝化层结构、衬底材料

所属期刊栏目：40

分类号：TN325+.3(半导体技术)

在线出版日期：2019-07-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1-6