掺磷多晶硅工艺及其腐蚀速率的研究

摘要：

为更好掌握掺磷多晶硅腐蚀速率的变化规律,进而保障和改进MOS晶体管的栅极质量,从直接影响腐蚀速率的关键工步,包括多晶硅掺磷的均匀性及掺磷后表面氧化层处理两个方面入手,对扩散原理、掺杂方式、三氯氧磷热分解过程、掺磷多晶硅等原理进行了阐述,并分析了薄膜质量与各项工艺参数的关系.先通过理论分析,确定在同等工艺条件下,掺磷时间以及掺磷后表面氧化层处理方法是直接影响掺磷多晶硅腐蚀速率的关键工艺,然后在工艺实验中实际监控腐蚀速率的变化,对不同掺磷时间以及掺磷后处理方式的样片进行对比验证,从测试结果中确定最佳工艺条件.本研究可为掺磷多晶硅工艺质量控制方法提供依据.

关键词：扩散、三氯氧磷、LPCVD工艺、多晶硅、掺磷多晶硅、腐蚀

所属期刊栏目：40

分类号：TN405(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2019-04-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：10-12