10.3969/j.issn.1002-2279.2019.01.002
斜面终端结构对二极管反向雪崩电流 耐量影响的研究
为提高二极管雪崩击穿电流耐量,从斜角终端入手进行分析研究,利用Silvaco TCAD仿真软件对正、负斜角终端P+PNN+结构二极管雪崩击穿电流的分布进行了仿真分析.仿真结果表明,当发生雪崩击穿时,正斜角结构二极管的雪崩击穿电流集中在体内,负斜角结构二极管的则主要发生在边缘处,从而证明正斜角终端更有利于提高二极管的雪崩电流耐量.实验结果中正斜角结构的雪崩电流值明显大于负斜角结构的数值,测试结果与仿真分析的预测一致,说明将负斜角改为正斜角是提高二极管雪崩电流耐量的有效技术措施.
负斜角、正斜角、雪崩击穿电流、终端结构、雪崩功率
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TN312(半导体技术)
2019-04-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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