不同尺寸SiGe HBT Gummel图的参数提取

摘要：

采用分子束外延法成功制备出非理想因子近似为1的台面型SiGe HBT,测量了正常尺寸和大尺寸两种晶体管的Gummel曲线和交流曲线,并测出其截止频率.运用物理公式变换法对Gummel图进行参数提取,包括非理想因子,集电极和基极串联电阻,集电极和基极反向饱和电流等,其中基极反向饱和电流包括扩散项和复合项两部分.将参数提取结果与资料上的理论值进行了比较,结果基本一致,验证了提参结果的正确性,同时发现扩散电流项与面积成正比,而复合电流项与周长成正比.比较了不同尺寸SiGe HBT的参数提取技术,对大尺寸器件提取出IBO1和I'B01两个值,并给出了现象的相关解释.

关键词：硅锗、异质结双极晶体管、多尺寸、Gummel图、参数提取

所属期刊栏目：40

分类号：TN431(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2019-04-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1-5