一种提高功率MOSFET击穿电压的终端结构

摘要：

MOSFET器件具有驱动电路简单、开关速度快、无二次击穿等固有优点,广泛应用于军工产品、消费类电子、工业产品、机电设备、智能手机及其他便携式数码电子产品等领域.近年来随着军工设备更新换代、民品产业绿色节能等需要,MOSFET器件的优势愈发明显,市场占有量显著增加.分析了MOSFET的结构特征和电学特性,重点研究了提高MOSFET击穿电压的方法,在同样衬底电阻率的情况下实现了功率MOSFET高压的电参数,解决了MOSFET在保证低导通电阻的情况下如何实现高电压的问题.该结构成功应用于MOSFET产品的设计、流片之中,显著提高了产品的电压参数和整体性能.

关键词：MOSFET器件、VDMOS器件、终端结构、击穿电压

所属期刊栏目：39

分类号：TN47(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2018-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：20-23