LPCVD Si3N4工艺中副产物NH4Cl去除的研究

摘要：

低压化学气相淀积氮化硅薄膜,是集成电路制造工艺的基础工序之一,氮化硅薄膜的颗粒度、折射率是影响薄膜质量的重要参数.低压淀积氮化硅薄膜反应过程中的副产物NH4Cl是影响氮化硅薄膜颗粒的主要因素,副产物过多导致氮化硅薄膜中产生富硅现象,使折射率高于2.0,导致腐蚀氮化硅的速率较慢,影响腐蚀效果.在CMOS集成电路标准工艺中,低压淀积Si3N4薄膜的表面颗粒直接影响LOCOS工艺鸟嘴大小、离子注入掩蔽效果;在光电产品的增透膜工步中,Si3N4薄膜的颗粒更是影响光电转换效率的主要因素.使用新工艺方法,在不改变反应温度、反应腔体尺寸的同时,调整反应气体流量、反应腔体压力,解决了氮化硅薄膜反应中副产物NH4Cl过多的问题,通过膜厚测试仪、应力测试仪的测试,曲线拟合良好.

关键词：化学气相淀积、氮化硅薄膜、颗粒、膜厚、应力

所属期刊栏目：39

分类号：TN47(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2018-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：8-10