围栅硅纳米线MOSFET器件的仿真研究

摘要：

随着大规模集成电路的发展,IC工艺特征尺寸逐渐进入了纳米量级,与此伴随而生了不可避免的短沟道效应(SCE)如:漏至势垒降低效应、阈值电压滚降效应、亚阈斜率退化等.围栅硅纳米线MOSFET(GAA-MOSFETS)器件具有优良的栅控能力和载流子输运特性,被视为可以将器件尺寸缩小到极限尺寸的理想器件结构.通过将量子运输效应应用到器件建模中,针对P型GAA-MOSFET器件展开研究,探讨了GAA-MOSFET器件的能带结构、沟道直径等参数对阈值电压、亚阈值摆幅等参数的影响,并利用Silvaco TCAD软件的数值计算来对GAA-MOSFET器件结构与性能进行仿真验证.

关键词：量子效应、短沟道效应、围栅硅纳米线MOSFET、SILVACOTCAD仿真

所属期刊栏目：39

分类号：TN47(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2018-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1-4