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10.3969/j.issn.1002-2279.2017.06.010

光伏逆变器用大功率开关晶体管结构参数的设计

引用
集电极峰值电流(ICM)、集电极-发射极击穿电压(VCEO)、最大耗散功率(PCM)、直流二次击穿临界电压(VSB)是衡量大功率晶体管可靠性优劣的重要指标.根据光伏逆变器实际参数指标的要求,对光伏逆变器中的核心功率开关器件的结构参数进行优化.根据大电流特点,重点对大功率开关晶体管高阻单晶硅电阻率、高阻集电区厚度、发射区版图及用于改善二次击穿的浮空发射区结构参数进行分析和设计.最终完成800V/15A大功率开关晶体管全套结构参数的设计,并提供了可供大功率晶体管设计使用的曲线和图表.设计结果表明:对大功率开关晶体管进行结构设计时,需着重考虑大功率开关晶体管在大电流、高反压、高频等工作状态下,极易出现的发射极电流过度集中导致器件损坏的现象.

大功率、集电极峰值电流、饱和压降、击穿电压、二次击穿

38

TP319(计算技术、计算机技术)

国家自然科学基金项目资助11304020

2018-03-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

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1002-2279

21-1216/TP

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2017,38(6)

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