一种应用于MCU待机模式的超低功耗LDO设计

摘要：

设计了一种应用于MCU待机模式的超低功耗低压差线性稳压电路(LDO).采用较少的MOS管以及简单的结构,只需提供一个15nA的偏置电流,可自产生偏置电压,无需带隙基准(Bandgap reference)电路提供基准电压.针对与主LDO协同工作的情况设计了输出级,能有效避免LDO同时工作引起的电源电压波动.在MCU的待机模式下,可以给上电复位(POR)、唤醒电路(Wakeup)、低功耗振荡器(LPOSC)、数据保持(Data retention)电路提供电源电压.该电路采用TSMC 0.18μm标准CMOS工艺.经过Synopsys Hspice仿真验证,输入电压为3.3V,输出电压为1.78V,在-25～125℃温度范围内温漂系数为30ppm/℃.整个LDO电路的整体的静态电流只有60nA,版图尺寸为25μm×38μm.

关键词：微控制器、LDO电路、低功耗、待机模式、输出级、上电复位

所属期刊栏目：38

分类号：TP319(计算技术、计算机技术)

资助基金：国家科技重大专项 新一代宽带无线移动通信网重大专项资助03专项;高实时WIA-PA网络片上系统SoC研发与示范应用2015ZX03003010

在线出版日期：2018-03-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：33-36