温度对IGBT器件功耗的影响研究

摘要：

IGBT是一种综合MOSFET和GTR两种器件优点的功率器件,被广泛应用于电力电子领域.在对这种电力电子器件的研究中,其功耗特性和功率特性同样重要.首先介绍IGBT器件基本的结构特点和工作原理,并对IGBT器件的尾流特性及其功耗组成进行分析和概述.同时结合IGBT的热阻模型,确定温度公式与功耗的关系,在保证其他电学参数相同的情况下,通过使用专门软件对实际情况下IGBT器件的功耗进行模拟仿真,分别在外界环境温度为-55℃、25℃、125℃的条件下研究外界环境温度对于IGBT功耗特性的影响,并通过控制IGBT器件外壳基板的热阻来降低IGBT器件的功耗.

关键词：IGBT、尾流特性、功耗分析、功耗计算、热阻模型

所属期刊栏目：38

分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2017-11-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：20-22