外延厚度对CMOS倒相器闩锁特性的影响研究

摘要：

CMOS电路由于寄生结构的影响,在大电流的情况下,易发生闩锁效应.如有该效应发生,极有可能导致芯片烧毁.一般从电路设计和版图设计两个方面可以减少闩锁效应的产生,同时在工艺方面采取措施可进一步降低闩锁效应,采用外延厚度的控制是比较有效的方式之一.通过外延技术降低衬底寄生电阻Rp的阻值,保证在大电流的情况下,减少寄生三极管导通概率,从而减少闩锁效应的发生.通过仿真验证,明确了外延厚度与CMOS倒相器闩锁特性的关系,获得了外延厚度的最佳值,在极限情况下,外延1.5μm CMOS倒相器抗闩锁能力比30μm外延高8.3倍左右.

关键词：外延厚度、闩锁特性、CMOS倒相器

所属期刊栏目：38

分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2017-11-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：16-19