解决集成电路漏电和中点电位异常的实例分析

摘要：

集成电路(IC)制造中,某些工艺的异常会使得相关的扩散区域产生缺陷,导致IC芯片性能异常,圆片中测低良.一款双极功放集成电路芯片,由于NPN管发射区缺陷,引起IC芯片漏电和输出端中点电位异常,导致中测低良.从电路原理出发,分析如何建立中点电位,推导中点电位与器件参数的关系.结合IC芯片漏电,分析了相关器件参数跟工艺的关系,通过对失效管芯进行解剖腐蚀,定位到管芯失效的原因是NPN管的发射区存在缺陷.通过将发射区磷SOD工艺改变为磷砷离子注入工艺,改善了工艺缺陷,解决了该产品的性能异常和中测低良率.

关键词：集成电路、漏电、中点电位、发射区、缺陷、磷、砷、原子半径

所属期刊栏目：38

分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2017-11-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：12-15