单粒子仿真方法研究

摘要：

在宇航级器件的设计过程中,主要考虑单粒子效应和总剂量效应.随着工艺尺寸的不断缩小,总剂量效应变得越来越不明显,而单粒子效应变得越来越显著.对于CMOS电路,单粒子效应主要包括单粒子锁定和单粒子翻转,防止单粒子锁定的方法非常成熟,单粒子翻转效应的研究是现今抗辐照研究的主流.评估单粒子效应的方法主要是实验方式,实验评估单粒子效应虽然准确,但是机时少,费用高,实验周期长,给项目研制过程造成很大障碍,因此非常有必要开展单粒子仿真技术研究.提出一种以Hspice电路网表为基础的单粒子效应评估方法,此方法采用脉冲电流模拟单粒子产生的效果,通过此方法可以有效模拟单粒子现象,并找到电路的设计敏感点,有效指导设计.

关键词：抗辐照、单粒子翻转、单粒子闭锁、比较器、仿真、冲击能量、单粒子效应

所属期刊栏目：38

分类号：TN495(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2017-08-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：8-12