基于抗静电设计的集成电路可靠性技术研究

摘要：

集成电路工艺发展到深亚微米阶段,器件的物理尺寸日益减小,芯片的可靠性设计面临的问题越来越复杂.为缩短研制周期,节约成本,应在电路设计时就考虑可靠性问题.ESD是CMOS电路中最为常见的失效机理之一,严重的会造成电路自我烧毁.概述了集成电路的可靠性设计,介绍了CMOS集成电路ESD保护的必要性,分析了ESD的失效机理,研究了在CMOS电路中几类常见的ESD保护方法,分析了各种保护方式的原理和特点.

关键词：可靠性、静电放电、ESD保护电路、集成电路工艺、晶闸管、栅接地场效应管

所属期刊栏目：38

分类号：TN40(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2017-06-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：22-25