用于2.5D封装技术的微凸点和硅通孔工艺

摘要：

过去几十年里,微电子器件尺寸按照摩尔定律持续减小,已经进入到真正的纳米时代.尽管集成电路的特征尺寸已经进入20nm之下,但是在特定领域,尤其是存储器、FPGA等对资源要求极高的领域,仅仅依靠摩尔定律已经不能满足市场需求.市场永无止境地对在可控功耗范围内实现更多的资源以及更高的代工厂良率提出迫切要求.针对一种新的2.5D封装技术,介绍了其中使用的微凸点(microbump)和硅通孔(through-silicon vias,TSV)等两项关键工艺,并进行了分析.

关键词：硅通孔、堆叠硅互连、微凸点、凸点下金属化层、封装、电沉积

所属期刊栏目：38

分类号：TN911

在线出版日期：2017-06-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：15-18