光敏二极管电压特性研究

摘要：

光敏二极管是在外加反向偏压的情况下体现出其光电转换特性的.对于光敏器件来说,其反向击穿特性至关重要.首先对光敏二极管的结构、工作原理进行了概述,从浅结光敏区、过程缺陷、表面应力、不同结构等方面展开对光敏二极管电压特性的研究工作.通过实验验证及器件工艺模拟仿真,分别采用快速退火、改进表面清洗工艺、掺氯氧化工艺、采用合理的淀积温度及速率、采用双层膜结构或热退火工艺等方式改善和提高光敏二极管的电压特性.通过研究其反向击穿电压特性,保证其电压参数的同时,可以有效提升产品其它参数如暗电流、光生电压等的控制水平.

关键词：反向击穿电压、光电流、暗电流、浅结光敏区、层错缺陷、晶格缺陷、沾污、表面应力

所属期刊栏目：37

分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2016-10-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：16-18