VDMOS器件终端结构设计及优化

摘要：

击穿电压是VDMOS器件的重要参数之一,器件的耐压能力主要由终端结构的击穿电压决定,但结曲面效应和表面电荷的存在制约着击穿电压的提高.设计的这款400V VDMOS的场限环终端结构,改善了结曲面效应,但表面电场较大,在此基础上,充分利用场板降低表面电场的作用,结合场限环构成场板-场限环终端结构,减少了场限环的数量,节省了16.67％的终端宽度,实现了440.6V的击穿电压.此外,没有增加额外的掩膜或工艺步骤,工艺兼容性好,易于实现.

关键词：VDMOS器件、终端、场限环、场板、击穿电压、电场

所属期刊栏目：37

分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2016-08-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：25-27