芯片制造中的厚铝刻蚀工艺

摘要：

刻蚀工艺分为干法刻蚀和湿法刻蚀,湿法刻蚀具有低成本、选择比高、各向同性的特点,干法刻蚀具有选择比低但各向异性的特点.在高压、大功率器件及集成电路中,铝布线要求能够承受高压、大电流,在恶劣的环境下具备良好的可靠性,因此需要比较厚的铝.由于湿法腐蚀是各向同性腐蚀,所以纯湿法腐蚀铝膜的侧腐量严重.干法腐蚀是各向异性腐蚀,然而纯干法腐铝光刻胶无法耐受.湿+干的铝腐蚀方法能同时解决纯湿法腐蚀铝膜的侧腐量严重,以及纯干法腐蚀铝膜光刻胶无法耐受的问题.采用纯干法,必须增加掩蔽膜厚度,只增加光刻胶厚度,光刻上无法实现,还有一种复合掩蔽膜刻蚀方法,采用Si02和光刻胶双层掩蔽膜.

关键词：厚铝、刻蚀、复合掩蔽、干法、湿法、工艺

所属期刊栏目：37

分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2016-08-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：23-24,27