15V/400V高低压兼容的栅驱动器设计技术

摘要：

描述了一种15V/400V高低压兼容的功率MOSFET栅驱动器电路设计.电路内部有三组电源提供供电,逻辑电源供给端口信号输入,低侧通路电源供给低侧端口信号输出,高侧通路电源供给高侧端口输出.片上三组非隔离电源通过从输入部分到低侧通路输出部分、高侧通路输出部分的独立供给,实现传输信号的电平转换.采用介质隔离的工艺技术,解决三组电源的高低压兼容问题.因而,设计重点更多的是聚焦在驱动器内部核心单元高低压转换电路,通过设计分析和仿真验证,实现了高侧通路输出信号相对于输入信号产生400V的电压偏移,低侧通路输出信号与输入信号同步输出.最终,基于XFAB公司的1.0μm工艺线对器件进行加工制造,测试结果显示最高偏移电压达到400V,导通延迟时间为120ns,关断延迟时间为94ns.

关键词：栅驱动器、低侧、高侧、高低压、兼容、偏移

所属期刊栏目：37

分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2016-08-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：20-22