基于标准CMOS工艺的抗辐射带隙基准电路设计

摘要：

针对标准纳米CMOS工艺下实现的带隙基准电路抗辐射加固性能不高的问题,分析了带隙基准电路中采用的纵向衬底PNP三极管器件由于总剂量辐射效应引起基极漏电流增加、输出电压漂移的原因,探讨了采用栅氧化层隔离发射极的版图优化技术及动态基极漏电流补偿电路设计技术等提高标准CMOS工艺下低压带隙基准电路抗电离总剂量辐射能力的方法.

关键词：总剂量辐射、互补型金属氧化物半导体、带隙基准、三极管、基极漏电流、动态电流补偿

所属期刊栏目：37

分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2016-08-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：13-16