基于自偏置技术的高速SERDES芯片PLL设计

摘要：

设计了适用于宽输入范围的SerDes芯片的锁相环电路,采用自偏置技术,有较宽的输入参考频率范围,不需要外加偏置电路,而且环路带宽能够跟随输入参考频率变化,对噪声有良好的抑制作用.环形VCO占用面积小、频率调节范围宽,并且能够很容易的产生SerDes中CDR所需要的多相位时钟.采用TSMC-0.25μm CMOS工艺实现了该PLL的设计,工作频率范围是1.6-2.7GHz,并成功应用于一款SERDES芯片中.

关键词：自偏置、锁相环、宽输入范围、CMOS工艺、高速、SERDES芯片

所属期刊栏目：37

分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2016-08-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1-4,9