10.3969/j.issn.1002-2279.2016.02.005
VDMOS 器件动态特性研究
VDMOS 器件具有开关速度快、开关损耗小、频率特性好等优点,被广泛应用于高频开关器件领域。利用 TCAD 软件对 VDMOS 器件进行建模仿真,研究了元胞 P 阱间氧化层厚度对器件静态参数和动态参数的影响。结果表明,器件的阈值电压不变,器件的导通电阻随着元胞 P 阱间氧化层厚度的增加而增加,器件的栅电荷随着元胞 P 阱间氧化层厚度的增加而减小,二者相互矛盾,但器件功耗优值明显提高。同时采取 JFET 注入技术降低导通电阻,使得器件的动态性能进一步改善,对高频 VDMOS 器件的应用具有一定的指导意义。
VDMOS 器件、动态特性、氧化层、阈值电压、导通电阻、栅电荷
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TN4(微电子学、集成电路(IC))
2016-06-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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