MEMS 器件刻蚀工艺优化
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10.3969/j.issn.1002-2279.2016.02.003

MEMS 器件刻蚀工艺优化

引用
基于 MEMS 器件的特殊结构,介绍了硅基电容式传感器 MEMS 器件刻蚀工艺的实现,工艺包含厚膜光刻、双面对准套刻和深沟槽刻蚀等难点。通过调整掩蔽层光刻胶的厚度,保持较高线宽分辨率的同时实现了硅片深沟槽的刻蚀加工;采用俄罗斯5026A 型双面光刻机实现了硅片的对准套刻,成功实现了电容式传感器器件结构的刻蚀工艺,为用户提供了满意的产品,证明了该刻蚀工艺的可行性和实用性。

MEMS 器件、光刻胶、厚膜光刻、双面光刻、对准套刻、深沟槽刻蚀

37

TP305(计算技术、计算机技术)

2016-06-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

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微处理机

1002-2279

21-1216/TP

37

2016,37(2)

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