两种 EEPROM存储器读取电路特性比较研究

摘要：

EEPROM存储器是通过存储单元介质层中存储电荷的数量来实现不同数据的保存。读取电路需要将存储介质中的电荷区别转换成可识别的电流电压形式进行读出。主要针对 EEP-ROM这类存储器的读取电路中产生参考电流的不同结构进行研究。对采用基准源产生参考电流和采用参考存储单元产生参考电流的两种结构，结合对温度、电源、工艺角的仿真和分析，推断出两种结构在各种条件组合下对电路读出性能、可靠性以及抗辐照效果的影响。比较得出带参考存储单元的读出结构，虽然结构复杂，但可以有效中和环境对读出特性的影响，保证整个存储器可以在更广泛的应用下提供高可靠的读取操作。

关键词：存储器、读取路径、灵敏放大器、参考单元、基准源、可靠性

分类号：TN47(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2016-03-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：22-25