10.3969/j.issn.1002-2279.2015.04.003
一种低温度系数带隙基准源设计
采用两个三级管基极-发射极串联的带隙基准可以降低运放失调电压的影响,但是在CMOS 工艺中,三级管的正向电流放大倍数β很小,导致三极管基极电流的分流会对发射极电流产生很大影响,带隙基准输出存在较大温漂。为了解决这个问题,提出了一种带基极电流补偿的低温度系数带隙基准源电路。电路设计采用 TSMC 0.25μm 工艺,经过 spectre 仿真验证,进行-55℃-125℃的温区扫描,基准随温度变化范围为1.85mV,相应的温漂系数为8.44ppm /℃,加入基极电流补偿电路后电源电流只增加了0.5μA。
带隙基准、低温度系数、基极电流补偿
TN47(微电子学、集成电路(IC))
2015-09-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
8-10,14