一种低温度系数带隙基准源设计

摘要：

采用两个三级管基极－发射极串联的带隙基准可以降低运放失调电压的影响，但是在CMOS 工艺中，三级管的正向电流放大倍数β很小，导致三极管基极电流的分流会对发射极电流产生很大影响，带隙基准输出存在较大温漂。为了解决这个问题，提出了一种带基极电流补偿的低温度系数带隙基准源电路。电路设计采用 TSMC 0．25μm 工艺，经过 spectre 仿真验证，进行－55℃－125℃的温区扫描，基准随温度变化范围为1．85mV，相应的温漂系数为8．44ppm ／℃，加入基极电流补偿电路后电源电流只增加了0．5μA。

关键词：带隙基准、低温度系数、基极电流补偿

分类号：TN47(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2015-09-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：8-10,14