FD －SOI 的优点及在中国发展的机遇

摘要：

大多数的电子产品都面临着节能问题，特别是移动电子产品和空间应用，需要集成电路在低电压和低功耗下工作。体硅，甚至 PD －SOI（部分耗尽绝缘体硅）CMOS 电路，在这些方面遇到很大的挑战。FD －SOI，即全耗尽绝缘体硅技术是一个非常好的选择。当器件特征尺寸缩比到纳米级时，FD －SOI 的节能优势更加突出。介绍 FD －SOI 的优点、应用及在中国发展的机遇。

关键词：全耗尽绝缘体上硅技术、节能、低功耗、低电压、特征尺寸、缩比

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2015-05-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1-3,6