集成电路工艺外延图形漂移剖析

摘要：

外延结构的生长特性决定了埋层图形在外延层上漂移的现象，这种现象会给工艺带来危害，导致产品失效。在实际工艺中，通常是通过一定的校正原则来抵消埋层漂移的影响。另外，最后还给出了隔离击穿电压的测试分析方法。

关键词：外延、漂移、校正

分类号：TN405.95(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2015-03-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：19-21,24