一种抗单粒子翻转的D触发器

摘要：

以互锁存储单元（DICE）结构为基础，采用0．35μm CMOS工艺，设计了一种具有抗单粒子翻转的带置位端的 D 触发器。通过将数据存放在不同节点以及电路的恢复机制，使单个存储节点具有抗单粒子翻转的能力。通过 Spectre 仿真，测试了触发器的抗单粒子翻转能力。在版图设计中采用增大敏感节点距离和 MOS 管尺寸的方法进一步提高了 D 触发器抗单粒子翻转的能力。

关键词：集成电路设计、单粒子翻转、双互锁存储单元、D触发器

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2015-03-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：10-12,15