PECVD 工艺中氮化硅薄膜龟裂研究

摘要：

PE 氮化硅薄膜优异的物理、化学性能使其在半导体分立器件、IC 电路中常被用作绝缘层、钝化层而使用。然而，氮化硅龟裂问题是影响其作为钝化层使用的阻碍因素，因此，科学的氮化硅工艺条件对其薄膜质量的影响非常关键。给出了等离子体化学气相淀积（PECVD）氮化硅薄膜技术的原理，通过实验验证，确定了诱发氮化硅龟裂现象的原因，优化工艺条件，确定了 PECVD氮化硅的最佳工艺条件，杜绝了龟裂现象对氮化硅作为钝化层使用的影响。

关键词：等离子体化学气相淀积、氮化硅薄膜、龟裂、钝化

分类号：TN305.95(半导体技术)

在线出版日期：2014-09-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：21-23