失配电流控制的高阶带隙基准工艺健壮性研究

摘要：

分析了基于失配电流控制的高阶补偿带隙基准的补偿原理，并研究了工艺偏移对基准电压温度系数的影响。基于失配电流控制的补偿策略具有结构简单、控制精度高，而且可以通过调整失配电流和多晶电阻阻值，使带隙基准具有较低的温度系数，同时具有较强的工艺健壮性。模拟分析表明，在-25℃-125℃温度范围内，在 TT（Typical -Typical）工艺角下，带隙基准的温度系数为4．8ppm /℃，同时在其他工艺角下，带隙基准的温度系数都可控制在9．0ppm /℃以下。通过无锡上华科技（CSMC）0．18μm CMOS 工艺实验验证，采用这种简单失配电流控制的高阶补偿带隙基准，在3V 电源电压下，在-20℃-120℃温度范围内，带隙基准的温度系数最低为6．9ppm /℃。

关键词：带隙基准、高阶补偿、温度系数、工艺健壮性

分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2014-09-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1-4,7