ICP刻蚀Si/PMMA选择比工艺研究

摘要：

为了将聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)上的图案等比例的转移到硅基材料上,对基于感应耦合等离子体技术(Inductively Coupled Plasma,ICP)的Si和PMMA的刻蚀速率进行了研究.结合英国牛津仪器公司的ICP180刻蚀系统,以SF6和O2混合气体为反应气体,研究了在其他参数相同的情况下,不同气体比例对两种材料刻蚀速率的影响,得到刻蚀速率随气体比例变化的曲线,并得出了对于Si和PMMA刻蚀速率相同时的气体比例.实验发现,如果增加反应气体中SF6的比重,会加快Si的刻蚀速率而降低PMMA的刻蚀速率,反之,若降低SF6的比重而增加O2的比重,则会相应降低Si的刻蚀速率而增加PMMA的刻蚀速率.据此,通过调节反应气体的比例,实现对Si和PMMA的同速率去除.

关键词：等离子体刻蚀、Si/PMMA选择比、图层转移

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分类号：O439;TN305.7(光学)

资助基金：国防基础研究项目A0920110019;国防基础科研计划资助A0920110016

在线出版日期：2014-04-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：9-11,14