深亚微米存储器各器件辐照特性研究

摘要：

为了研究抗辐照的EEPROM,针对其系统中的关键元器件(高压NMOS、低压NMOS,高压PMOS、低压PMOS和SONOS存储单元)进行了总剂量辐照实验的研究和分析,同时考虑FN、CHE编程的存储单元的辐照特性差别,为设计抗辐照的EEPROM电路提供理论、实验依据.实验结果表明辐照对低压管(低压NMOS和低压PMOS)的影响主要表现在漏电增加;辐照对高压管(高压NMOS和高压PMOS)的影响主要表现在阈值漂移;辐照对SONOS存储单元的影响主要表现在阈值漂移.从编程方法上讲FN编程有利于提高SONOS存储单元的抗辐照特性.

关键词：深亚微米、总剂量、SONOS结构存储器、NMOSFET器件、PMOSFET器件

所属期刊栏目：34

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2013-11-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：20-24,28