10.3969/j.issn.1002-2279.2013.02.004
中束流离子注入机工艺实现原理
粒子高速冲击其他材料并进入其中叫作离子注入.在半导体工业中,这个过程用来向纯净衬底上掺杂杂质而形成半导体.半导体工艺中这个特别的步骤是由一种特殊的粒子加速装置完成,这就是离子注入机.
离子注入、高压、真空、半导体
34
TN4(微电子学、集成电路(IC))
2013-07-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
12-13,16
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10.3969/j.issn.1002-2279.2013.02.004
离子注入、高压、真空、半导体
34
TN4(微电子学、集成电路(IC))
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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