10.3969/j.issn.1002-2279.2013.02.003
高阻衬底CMOS外延工艺研究
针对于高阻衬底、高阻外延工艺与常规CMOS工艺的兼容性进行研究,主要讨论了CMOS外延工艺中确定有效外延层厚度的实验过程.
有效外延厚度、隔离、高阻衬底
34
TN4(微电子学、集成电路(IC))
2013-07-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
9-11
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10.3969/j.issn.1002-2279.2013.02.003
有效外延厚度、隔离、高阻衬底
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TN4(微电子学、集成电路(IC))
2013-07-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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