8Transistors SRAM稳定性分析与验证

摘要：

针对8transistors (8T)静态随机存储器(SRAM)存储单元的基本结构,详细研究分析了影响存储单元稳定性性能的因素.为了提升SRAM的稳定性和控制SRAM面积,提出了一种提升稳定性的同时又能有效控制芯片面积的技术方案.在SMIC 40nm工艺条件下,验证了该技术方案,实现了预期的目标,其中稳定性大约提升10％左右.

关键词：静态存储器、稳定性、预充电、噪声容限、写容限、读电流

所属期刊栏目：34

分类号：TN453(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2013-07-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1-5