10.3969/j.issn.1002-2279.2013.01.006
等离子刻蚀多晶硅问题解析
多晶硅在MOS电路中占有极其重要的位置,掺杂后的多晶硅往往是用做栅极的导电材料.而腐蚀后的掺杂多晶硅的线宽决定了有源器件的栅长,而栅长确定了沟道长度并定义出了源漏电极的边界.湿法腐蚀多晶因其侧腐量大而不能使用,必须应用干法刻蚀,这里对多晶硅在干法刻蚀方面的一些问题进行了简要的分析及解决.
多晶硅、干法刻蚀、等离子刻蚀
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TN4(微电子学、集成电路(IC))
2013-05-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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