10.3969/j.issn.1002-2279.2012.03.001
二氧化硅的反应离子刻蚀工艺研究
采用CHF3、CF4、CHF3+ CF4、CHF3+O2和CF4+ O2五种工艺气体体系对二氧化硅( SiO2)作反应离子刻蚀实验,在确定最优刻蚀气体基础上,研究射频功率和气体流量配比对刻蚀速率、均匀性和选择比等主要刻蚀参数的影响.通过对实验结果比较分析,确定了刻蚀速率79nm/min、非均匀性4%、对光刻胶的选择比0.81的优化工艺.
反应离子刻蚀、二氧化硅、刻蚀速率、优化工艺
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TN4(微电子学、集成电路(IC))
2012-10-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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