10.3969/j.issn.1002-2279.2011.06.005
光刻工艺中关键流程参数分析
主要介绍了光刻工艺的基本流程,并分析了光刻工艺中的流程参数及影响光刻质量的主要因素,讨论了两种不同光刻胶在不同转速下的厚度、均匀性及留膜率,提出了光刻工艺中部分常见问题的解决方法.通过工艺优化,确定AZ3100和AZ703两种光刻胶的最佳工艺参数.
光刻、涂胶、膜厚、均匀性
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TN305.7(半导体技术)
国家自然科学基金项目61006036;电子科技大学"学术新人"项目支持
2012-04-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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