一种NAND Flash存储器抗辐射加固方法

摘要：

随着宇航事业的飞速发展,迫切需要一种稳定的非易失存储器,NAND闪存具有功耗小、速度快等特点,在宇航领域有广阔的应用前景.分析了NAND Flash的辐射效应和错误模式,设计了一种基于RS( Reed - Solomon) - RM(R- eed - Muller).级联纠错编码的软件加固方法,该码具备很强的纠随机错误和突发错误的能力.级联码译码器中采用流水线技术以及兵乓操作进行加速,数据吞吐率得到保证.

关键词：NAND闪存、辐射效应、RS-RM码、软件加固

所属期刊栏目：32

分类号：TN918.91

在线出版日期：2012-04-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：8-11