基于电流控制模式的低压、高PSRR基准源

摘要：

基于可调电流控制模式设计出一种低压、高电源抑制比的带隙基准电压源电路.采用电流控制模式和多反馈环路,提高电路的整体电源抑制比；通过电阻分压的方式,使电路达到低压,同时提供偏压,简化偏置电路.采用0.5μmCMOS N阱工艺,电路可在电源电压为1.5V时正常工作.使用Cadence Spectre进行仿真结果表明,低频时电源抑制比(PSRR)高达107dB.- 10℃～125℃温度范围内,平均温度系数约7.17ppm/℃,功耗仅为0.525mW.此电路能有效地抑制制程变异.

关键词：CMOS基准电压源、独立电流模式、低电压、高电源抑制比

所属期刊栏目：32

分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金资助61021061

在线出版日期：2012-03-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：22-25