一种低压高精度CMOS带隙基准

摘要：

设计了一种改进的带隙基准电压源,通过采用分段电流补偿的方法,实现了低压高精度供电.研究基于TSMC 0.35 μm CMOS 3V工艺基础,重点考虑主要工作温度区域输出电压随温度变化的精度问题.仿真结果表明,该电路可提供低至500mY的低压,实现了高阶电流补偿,在-40℃～+100℃温度范围内其温漂系数仅为3.7ppm/℃,在芯片主要工作温度范围内,输出基准电压最大偏差小于8μV,低频时电源抑制比为-70dB.

关键词：低压带隙基准、电源抑制比、高阶补偿

所属期刊栏目：32

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2012-03-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1-3,7