亚微米CMOS集成电路抗总剂量辐射版图设计

摘要：

随着商业集成电路生产进入亚微米工艺时代,其生产出的微电子器件抗辐射能力不断提高,使得对专用集成电路进行抗辐加固设计成为可能.主要介绍了抗电离辐射的基本加固方法以及一种可以节省芯片面积的版图设计方法,使得在商用工艺上可以获得集成度更高的具有抗辐射能力的专用集成电路.

关键词：环绕漏极型晶体管、亚微米CMOS集成电路、抗辐射加固、总剂量

所属期刊栏目：31

分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2011-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：15-16,20