基于PVT变量的多米诺电路性能分析和优化

摘要：

随着集成电路尺寸的日益降低,工艺制程和非工艺制程变量对电路的影响越来越重要.针对组成高性能处理器的多米诺电路,对影响其功耗、延迟以及噪声的工艺、电压和温度因素,采用45nm BSIM4工艺模型进行了仿真分析,指出了为满足不同的设计指标必须考虑的设计因素,并分析给出了一个全局最优的性能指标.

关键词：PVT变量、多米诺、漏电流、低功耗、延迟、噪声容限

所属期刊栏目：31

分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2011-05-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：28-31,34