CMOS电路ESD保护结构设计

摘要：

静电放电是CMOS电路中最为严重的失效机理之一,严重的会造成电路自我烧毁.论述了CMOS集成电路ESD保护的必要性,研究了在CMOS电路中ESD保护结构的设计原理,分析了该结构对版图的相关要求,重点讨论了在I/O电路中ESD保护结构的设计要求.

关键词：静电放电、可控硅、闩锁

所属期刊栏目：31

分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2010-07-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：30-31,35