10.3969/j.issn.1002-2279.2010.02.005
二氧化硅的干法刻蚀工艺研究
主要研究了二氧化硅的干法刻蚀工艺.运用反应离子刻蚀设备(RIE150×4)进行了一系列的刻蚀实验,采用不同的工艺条件对二氧化硅进行选择刻蚀工艺研究,得出了不同工艺条件对应的刻蚀速率、均匀性、选择比等刻蚀参数,并对结果进行了比较与分析,得到了相对最佳的工艺条件.
反应离子刻蚀、二氧化硅、最佳工艺条件
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TN305.7(半导体技术)
2010-07-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
16-18,22